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    AMB覆铜陶瓷基板

    AMB是通过活性金属材料(钎焊料)在高温下进行反应,,,实现铜与陶瓷键合的一种工艺,,相较DCB具有更高的结合强度,,更好的热循环性和更大电流载流能力。。覆铜面可以刻蚀出各种图形,,广泛应用于电动汽车、、光伏逆变,,,风力发电、、、轨道交通等大电流、、高散热、、高可靠性等领域。。

    • 电动汽车

    • 电力交通

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    推荐铜瓷组合
    Ceramic Thicknesses(Unit:mm)
    Copper Thicknesses(Unit:mm)



    0.250.320.380.631.00
    0.20
    0.25
    0.30
    0.40-
    0.50--
    0.80---
    Si₃N₄ AIN Standard Combinations
    注:常规组合铜厚不得厚于瓷厚,,阴阳铜正反铜厚差异小于0.15mm,,,,特殊组合可询问
    产品性能(陶瓷性能)
    Items/TypesAlNSi3N4Unit
    成分--%
    密度3.33.22g/cm³
    热导>170>80W/m.K
    热膨胀系数4.7 (20℃~300℃)2.5 (20℃~300℃)x10^(-6)/K
    抗弯强度(Σ0,M>10)>350>700MPa
    介电损耗0.0005<0.0011MHz
    介电常数9.08.01Mhz
    介电强度>20>20KV/mm
    绝缘强度>10^(14)>10^(14)Ω·cm


    产品性能(尺寸与可靠性)
    Items/TypesSi3N4 AMBAlN AMBTest condition
    母版外形尺寸Max 138*190mm +/-1.5%-
    基本公差+0.2/-0.05mm-
    有效利用面积Max 127*178mm-
    剥离强度>10N/mm50mm/min @0.3mm Cu-thickness
    表面可焊性≥ 95% wetting- Bare Copper : SnCu3In0.5-Preform / 250℃ / With N2 and vacuum - Ni plating / Au / Ag plating :PbSn5Ag2.5-Preform / 340℃With formic gas ( 95 % N2, 5 % H2 ) and vacuum
    表面粗糙度Ra≤1.5μm ; Rz≤10μm
    Lower roughness on request.
    JISB0601
    打线性能Shearing strength≥1000gf
    Aluminium Residue after shearing≥50%
    Al wire 300um ; Shear speed 500um/s ; Shear height≤30um
    绝缘电阻Pattern to pattern ( Min 0.7mm) >1 x 10^(9) ΩDC 1,000V, 60sec
    耐压性能Front to back Leakage Current< 1.5mAAC 3,500V, 60sec
    TC循环寿命>2000 cycles>60 cycles:-55℃~+150℃,hot/cold chamber system,15min at min/max. Transfer time <30s.


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